ROHM Product Detail

新设计非推荐

QS5U21

2.5V驱动P沟道+SBD MOSFET
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QS5U21

新设计非推荐 QS5U21
2.5V驱动P沟道+SBD MOSFET

为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。

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主要规格

 
型号 | QS5U21TR
封装 | TSMT5
包装形态 | Taping
包装数量 | 3000
最小独立包装数量 | 3000
RoHS | Yes

特性：

Package Code

SOT-25T

Number of terminal

5

Polarity

P+Schottky

Drain-Source Voltage VDSS[V]

-20

Drain Current ID[A]

-1.5

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)

0.26

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)

0.18

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

0.16

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

0.26

Total gate charge Qg[nC]

4.2

Power Dissipation (PD)[W]

0.9

Drive Voltage[V]

-2.5

Reverse voltage VR (Diode) [V]

20

Forward Current IF (Diode) [A]

1

Forward Current Surge Peak IFSM (Diode) [A]

3

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

2.8x2.9 (t=1.0)

特点：

· 多重肖特基势垒二极管中功率MOSFET
· 小尺寸表面贴装型封装
· 不含铅/符合RoHS标准
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