QS8J4
-30V 双P沟道小信号MOSFET
主要规格
特性：
Package Code
TSMT8
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
P+P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-30
Drain Current ID[A]
-4
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.06
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.055
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.04
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.06
Total gate charge Qg[nC]
8.4
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
-4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.8x3.0 (t=0.85)
特点：
· 4V驱动型· 双P沟道中功率MOSFET
· 更快开关速度
· 小型表面贴装封装
· 无铅/符合RoHS标准
