ROHM Product Detail

最终销售 QS8K21
4V驱动双N沟道MOSFET

指正在申请中止制造的产品。

Data Sheet
Data Sheet

主要规格

 
型号 | QS8K21TR
Status | 最终销售
封装 | TSMT8
包装形态 | Taping
包装数量 | 3000
最小独立包装数量 | 3000
RoHS | Yes
MSL | 1

特性：

Package Code

TSMT8

Number of terminal

8

Polarity

N+N

Drain-Source Voltage VDSS[V]

45

Drain Current ID[A]

4

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)

0.053

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

0.048

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)

0.038

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

0.053

Total gate charge Qg[nC]

5.4

Power Dissipation (PD)[W]

1.5

Drive Voltage[V]

4

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

2.8x3.0 (t=0.85)

特点：

· 4V驱动类型
· 双N沟道中功率MOSFET
· 更快开关速度
· 小型表面贴装封装
· 无铅/符合RoHS标准
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