SH8J65
4V驱动 Dual P沟道MOSFET
SH8J65
4V驱动 Dual P沟道MOSFET
P+P复合型MOSFET采用微处理技术，实现低导通电阻，可广泛应用于各类设备。本产品阵容包含紧凑型、大功率型和复合型，旨在满足市场上的各种需求。
主要规格
特性：
Package Code
SOP8
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
P+P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-30
Drain Current ID[A]
-7
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.031
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.029
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0215
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.031
Total gate charge Qg[nC]
18
Power Dissipation (PD)[W]
2
Drive Voltage[V]
-4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x5.0 (t=1.75)
特点：
· 4V驱动型· 双P沟道中功率MOSFET
· 开关速度快
