UM6J1N
4V驱动双P沟道MOSFET
UM6J1N
4V驱动双P沟道MOSFET
复合型MOSFET(P+P)采用微加工技术制成低导通电阻器件，可广泛应用于各种应用领域。产品阵容广泛，涵盖紧凑型、大功率型和复合型，以满足市场各种需求。
主要规格
特性：
Package Code
SOT-363
JEITA Package
SC-88
Number of terminal
6
Polarity
P+P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-30
Drain Current ID[A]
-0.2
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
1.6
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
1.4
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.9
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
1.6
Power Dissipation (PD)[W]
0.15
Drive Voltage[V]
-4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.1x2.0 (t=0.9)
特点：
· 4V驱动型· 双P沟道小信号MOSFET
· 小型表面贴装封装
· 无铅/符合RoHS标准
