UM6K31N
2.5V驱动双N沟道MOSFET
UM6K31N
2.5V驱动双N沟道MOSFET
复合型MOSFET (N+N) 采用微加工技术，可作为低导通电阻器件，广泛适用于各种应用。产品阵容广，涵盖紧凑型、高功率型和复合型，满足市场各种需求。
主要规格
特性：
Package Code
SOT-363
JEITA Package
SC-88
Number of terminal
6
Polarity
N+N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
60
Drain Current ID[A]
0.25
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
3
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
2.3
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
2.1
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
1.7
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
3
Power Dissipation (PD)[W]
0.15
Drive Voltage[V]
2.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.1x2.0 (t=0.9)
特点：
· 2.5V驱动型· 双N沟道小信号MOSFET
· 小型表面贴装封装
· 不含铅/符合RoHS标准
