US6M1
4V驱动N沟道+2.5V驱动P沟道MOSFET
新设计非推荐
US6M1
4V驱动N沟道+2.5V驱动P沟道MOSFET
为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。
主要规格
特性：
Package Code
SOT-363T
JEITA Package
SC-113DA
Number of terminal
6
Polarity
N+P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
1.4
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.27
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.17
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.27
Total gate charge Qg[nC]
1.4
Power Dissipation (PD)[W]
1
Drive Voltage[V]
4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.1x2.0 (t=0.82)
特点：
· 互补中功率MOSFET· 开关速度快
· 小型贴片封装
· 无铅/符合RoHS标准
