RF4E110BN
4.5V驱动 N沟道MOSFET
RF4E110BN
4.5V驱动 N沟道MOSFET
功率MOSFET通过微处理技术制成低导通电阻器件，可广泛应用于各种领域。ROHM产品阵容宽泛，涵盖小尺寸、大功率和复杂类型，可满足市场上的各种需求。
主要规格
特性：
Package Code
DFN2020-8S
Applications
Switching, Motor
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
11
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0118
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0085
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0118
Total gate charge Qg[nC]
12
Power Dissipation (PD)[W]
2
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K4020
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.0x2.0 (t=0.65)
特点：
· 低导通电阻。
· 大功率小尺寸模塑封装 (HUML2020L8)
· 无铅镀层；符合RoHS指令
· 无卤素
Videos & Catalogs
