RQ3E100GN
4.5V驱动N沟道MOSFET
RQ3E100GN
4.5V驱动N沟道MOSFET
功率MOSFET采用微加工技术制造，具有低导通电阻，可广泛应用于各种领域。提供涵盖小型、大功率和复杂类型的产品阵容，以满足市场中的各种需求。
主要规格
特性：
Package Code
HSMT8
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
21
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.012
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0089
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.012
Total gate charge Qg[nC]
3.9
Power Dissipation (PD)[W]
15
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K4504
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
特点：
・ 低导通电阻。・ 高功率封装(HSMT8)
・ 无铅引线电镀；符合RoHS指令
・ 不含卤素
