RQ3E120GN
4.5V驱动 N沟道MOSFET
RQ3E120GN
4.5V驱动 N沟道MOSFET
功率MOSFET是采用微处理技术制成的低导通电阻器件，可广泛应用于各种领域。ROHM产品阵容涵盖紧凑型、大功率型和复合型，可满足市场上的各种需求。
主要规格
特性：
Package Code
HSMT8
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
27
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0091
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0067
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0091
Total gate charge Qg[nC]
4.8
Power Dissipation (PD)[W]
15
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K4503
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
特点：
• 低导通电阻。• 功率封装 (HSMT8)
• 无铅电镀; 符合RoHS指令
• 无卤素
