RQ3E150BN
N沟道30V 39A功率MOSFET
RQ3E150BN
N沟道30V 39A功率MOSFET
功率MOSFET是采用微处理技术制成的低导通电阻器件，广泛适用于各种应用。产品阵容广阔，涵盖了紧凑型、高功率型和复杂型，可满足市场上的各种需求。
主要规格
特性：
Package Code
HSMT8
Applications
Switching, Motor
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
39
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0053
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0038
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0053
Total gate charge Qg[nC]
23
Power Dissipation (PD)[W]
17
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K4013
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
特点：
- 低导通电阻。
- 大功率封装(HSMT8)
- 无铅电镀，符合RoHS标准。
- 无卤素
