RQ3L060BG
N沟道60V 15.5A, HSMT8, 功率MOSFET
RQ3L060BG
N沟道60V 15.5A, HSMT8, 功率MOSFET
RQ3L060BG是一款导通电阻低、功率封装高，适用于开关、电机驱动和DC-DC转换器的功率MOSFET。
主要规格
特性：
Package Code
HSMT8
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
60
Drain Current ID[A]
15.5
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.042
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.029
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.042
Total gate charge Qg[nC]
2.9
Power Dissipation (PD)[W]
14
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
特点：
- 导通电阻低
- 高功率小型模塑封装 (HSMT8)
- 无铅电镀;符合RoHS标准
- 无卤
- Rg和UIS测试
