RUM001L02
1.2V驱动 N沟道MOSFET
RUM001L02
1.2V驱动 N沟道MOSFET
该MOSFET通过适用于低功耗移动设备的微加工技术，实现了更低导通电阻。拥有包括紧凑型、大功率型和复合型在内的多种产品阵容，可满足市场需求。
主要规格
特性：
Package Code
SOT-723
JEITA Package
SC-105AA
Number of terminal
3
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
20
Drain Current ID[A]
0.1
RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ)
6
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ)
4.5
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
3
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
2.5
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
6
Power Dissipation (PD)[W]
0.15
Drive Voltage[V]
1.2
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
1.2x1.2 (t=0.55)
特点：
· 低电压 (1.2V) 驱动类型· N沟道小信号MOSFET
· 小型表面贴装封装
· 无铅/符合RoHS标准
