RUM002N02
1.2V 驱动N沟道MOSFET
RUM002N02
1.2V 驱动N沟道MOSFET
MOSFETs利用适合低功耗移动设备的微加工技术，实现了超低导通电阻。为了更好地满足市场需求，我们提供了包括紧凑型、高功率型和复杂型在内的宽泛产品线。
主要规格
特性：
Package Code
SOT-723
JEITA Package
SC-105AA
Number of terminal
3
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
20
Drain Current ID[A]
0.2
RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ)
1.6
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ)
1.2
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
0.8
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
1.6
Power Dissipation (PD)[W]
0.15
Drive Voltage[V]
1.2
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
1.2x1.2 (t=0.55)
特点：
· 低电压(1.2V)驱动型· N沟道小信号MOSFET
· 小尺寸表面贴装型封装
· 无铅/符合RoHS标准
Videos & Catalogs
