RV2C010UN
20V 1A N沟道功率MOSFET
RV2C010UN
20V 1A N沟道功率MOSFET
超小型封装(1006尺寸)RV2C010UN适用于便携式设备。
主要规格
特性：
Package Code
DFN1006-3
JEITA Package
SC-101
Number of terminal
3
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
20
Drain Current ID[A]
1
RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ)
0.7
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ)
0.54
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
0.4
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.34
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.7
Power Dissipation (PD)[W]
0.4
Drive Voltage[V]
1.2
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
1.0x0.6 (t=0.4)
特点：
- 低导通电阻。
- 高功率小型模塑封装(VML1006)
- 无铅镀层；符合RoHS标准。
- 无卤素。
- ESD保护高达200V (MM)
高达2kV (HBM)
