RXH125N03
N沟道30V 12.5A功率MOSFET
RXH125N03
N沟道30V 12.5A功率MOSFET
采用微处理技术制造的MOSFET，具有超低导通电阻，适合低电流消耗的移动设备。产品阵容宽广，包括紧凑型、大功率型和复合型，以满足市场需求。
主要规格
特性：
Package Code
SOP8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
12.5
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.01
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0095
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0075
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.01
Total gate charge Qg[nC]
12.7
Power Dissipation (PD)[W]
2
Drive Voltage[V]
4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x5.0 (t=1.75)
特点：
· 4V驱动型· N沟道中功率MOSFET
· 开关速度快
· 小型表面贴装封装
· 无铅/符合RoHS
