RE1C002ZP
1.2V驱动P沟道MOSFET
RE1C002ZP
1.2V驱动P沟道MOSFET
MOSFET采用了更先进的微加工技术，实现了超低导通电阻，更适合低功耗的移动设备。产品阵容广泛，包括紧凑型、大功率型和复合型，以满足市场需求。
主要规格
特性：
Package Code
SOT-416FL
JEITA Package
SC-89
Number of terminal
3
Polarity
P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-20
Drain Current ID[A]
-0.2
RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ)
2.4
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
1
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.8
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
2.4
Power Dissipation (PD)[W]
0.15
Drive Voltage[V]
-1.2
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
1.6x1.6 (t=0.85)
特点：
· 低电压(1.2V)驱动型· P沟道小信号MOSFET
· 小型表面贴装封装
· 无铅/符合RoHS标准
