RE1E002SP
4V驱动P沟道MOSFET
RE1E002SP
4V驱动P沟道MOSFET
MOSFET采用微处理技术，具有超低导通电阻，适用于低功耗移动设备。其宽泛的产品阵容包括小型、大功率和复合型，以满足市场需求。
主要规格
特性：
Package Code
SOT-416FL
JEITA Package
SC-89
Number of terminal
3
Polarity
P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-30
Drain Current ID[A]
-0.25
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
1.6
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
1.4
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.9
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
1.6
Power Dissipation (PD)[W]
0.15
Drive Voltage[V]
-4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
1.6x1.6 (t=0.85)
特点：
· 4V驱动类型·P沟道小信号MOSFET
·小尺寸表面贴装封装
· 无铅/符合RoHS
