RQ3E100AT
P沟道 -30V -31A 功率MOSFET
RQ3E100AT
P沟道 -30V -31A 功率MOSFET
RQ3E100AT是一款高可靠性晶体管，适用于开关应用。
主要规格
特性：
Package Code
HSMT8
Number of terminal
8
Polarity
P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-30
Drain Current ID[A]
-31
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0131
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.009
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0131
Total gate charge Qg[nC]
21
Power Dissipation (PD)[W]
17
Drive Voltage[V]
-4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
特点：
- 导通电阻低。
- 大功率小尺寸模塑封装（HSMT8）
- 无铅镀层；符合RoHS指令。
- 无卤
