RQ3G110AT
P沟道 -40V -35A，HSMT8，功率MOSFET
RQ3G110AT
P沟道 -40V -35A，HSMT8，功率MOSFET
RQ3G110AT是一款Power MOSFET，适用于负载开关应用。
主要规格
特性：
Package Code
HSMT8
Number of terminal
8
Polarity
P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-40
Drain Current ID[A]
-35
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0123
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0098
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0123
Total gate charge Qg[nC]
46
Power Dissipation (PD)[W]
20
Drive Voltage[V]
-4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
特点：
- 低导通电阻
- HSMT8高功率小型封装
- 无铅电镀;符合RoHS标准
- 无卤素
