RQ6E060AT
P沟道 -30V -6A 中功率 MOSFET
RQ6E060AT
P沟道 -30V -6A 中功率 MOSFET
RQ6E060AT是用于开关和负载开关的低导通电阻MOSFET。
主要规格
特性：
Package Code
SOT-457T
JEITA Package
SC-95
Applications
Switching
Number of terminal
6
Polarity
P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-30
Drain Current ID[A]
-6
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0268
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0203
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0268
Total gate charge Qg[nC]
12.9
Power Dissipation (PD)[W]
1.25
Drive Voltage[V]
-4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.8x2.9 (t=1.0)
特点：
- 低导通电阻。
- 高功率小型模塑封装 (TSMT6)
- 无铅引脚电镀；符合RoHS指令。
- 无卤素。
- 经过 Rg和UIS测试。
