RS1N110AT
P沟道 -80V -43A, HSOP8, Power MOSFET
RS1N110AT
P沟道 -80V -43A, HSOP8, Power MOSFET
RS1N110AT是一款低导通电阻、大功率小型模压封装的功率MOSFET，适用于开关和电机驱动。
主要规格
特性：
Package Code
HSOP8
Number of terminal
8
Polarity
P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-80
Drain Current ID[A]
-43
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)
0.0174
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0163
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0174
Total gate charge Qg[nC]
83
Power Dissipation (PD)[W]
40
Drive Voltage[V]
-6
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x4.9 (t=1.1)
特点：
- 低导通电阻
- 大功率封装 (HSOP8)
- 无铅电镀; 符合RoHS标准
- 无卤素
- Rg和UIS测试
