ROHM Product Detail

RU1C001ZP
1.2V驱动P沟道MOSFET

MOSFETs采用适合低功耗移动设备的微处理技术制造，具有更低的导通电阻。产品阵容广泛，包括紧凑型、大功率型和复合型，可满足市场需求。

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本产品不建议使用于车载设备。
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主要规格

 
型号 | RU1C001ZPTL
Status | 推荐品
封装 | UMT3F
包装形态 | Taping
包装数量 | 3000
最小独立包装数量 | 3000
RoHS | Yes
MSL | 1

特性：

Package Code

SOT-323FL

JEITA Package

SC-85

Number of terminal

3

Polarity

P

Drain-Source Voltage VDSS[V]

-20

Drain Current ID[A]

-0.1

RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ)

10

RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ)

6

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)

4.8

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)

3.4

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

2.5

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

10

Power Dissipation (PD)[W]

0.15

Drive Voltage[V]

-1.2

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

2.1x2.0 (t=1.05)

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特点：

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