SCT3160KWA
1200V, 17A, 7引脚SMD，沟槽结构，SiC（碳化硅）MOSFET
SCT3160KWA
SCT3160KWA
1200V, 17A, 7引脚SMD，沟槽结构，SiC（碳化硅）MOSFET
SCT3160KWA是SiC（碳化硅）沟槽MOSFET。具有高耐压、低导通电阻、快速开关速度等特点。
主要规格
特性：
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
160
Generation
3rd Gen (Trench)
Drain Current[A]
17
Total Power Dissipation[W]
100
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
15.4x10.2 (t=4.7)
特点：
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 快速反向恢复
- 易于并联
- 易于驱动
- 无铅电镀；符合RoHS标准
