SCT4018KTWHR (新产品)
1200V, 79A, 9引脚SMD, 沟槽结构, 车载用SiC（碳化硅）MOSFET
SCT4018KTWHR (新产品)
1200V, 79A, 9引脚SMD, 沟槽结构, 车载用SiC（碳化硅）MOSFET
该产品是一款采用TSC3PAK封装的SiC MOSFET。TSC3PAK封装采用顶侧散热结构，散热面位于封装顶部，在保持表面贴装设计的同时，实现了与传统通孔封装相当的散热性能。此外，ROHM专有的沟槽结构确保了6.66mm的爬电距离，能够在污染等级2的环境下支持1200V的交流峰值电压。这有助于高压应用中安全的绝缘设计和更高的可靠性。此外，该产品还实现了低导通电阻和高速开关，有助于提高功率转换电路的效率和降低功耗。它适用于xEV中的车载充电器和电动压缩机，以及光伏逆变器和服务器电源。
主要规格
特性：
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
18
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
79
Total Power Dissipation[W]
294
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
14.0x18.58 (t=3.625)
Common Standard
AEC-Q100 (Automotive Grade)
特点：
- 符合AEC-Q101标准
- 爬电距离宽 = 更低6.66mm
- 低导通电阻
- 高速开关
- 快速反向恢复
- 易于并联
- 驱动简单
- 无铅引脚电镀；符合RoHS指令
