ROHM Product Detail

SCT4026DTW (新产品)

750V, 54A, 9引脚SMD，沟槽结构，SiC（碳化硅）MOSFET
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SCT4026DTW
(新产品)

SCT4026DTW (新产品)
750V, 54A, 9引脚SMD，沟槽结构，SiC（碳化硅）MOSFET

此产品为采用TSC3PAK封装的SiC MOSFET。TSC3PAK采用顶部散热结构，散热面位于封装顶部，在保持表面贴装设计的同时，实现了与传统通孔封装相媲美的散热性能。此外，ROHM专有的沟槽结构确保了6.66mm的爬电距离，在污染等级2的环境中支持1200V的交流峰值电压。这有助于高压应用中的安全绝缘设计和更高可靠性。此外，该产品实现了低导通电阻和高速开关，有助于提高功率转换电路的效率和更低功耗。它非常适用于xEV中的车载充电器和电动压缩机，以及光伏逆变器和服务器电源。

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* 本产品是标准级的产品。
本产品不建议使用于车载设备。
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主要规格

 
型号 | SCT4026DTWTCR
Status | 推荐品
封装 | TSC3PAK
包装形态 | Taping
包装数量 | 600
最小独立包装数量 | 600
RoHS | Yes

特性：

Drain-source Voltage[V]

750

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

26

Generation

4th Gen (Trench)

Drain Current[A]

54

Total Power Dissipation[W]

163

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-40

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

14.0x18.58 (t=3.625)

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特点：

  • 更宽的爬电距离 = 更低6.66mm
  • 低导通电阻
  • 更快的开关速度
  • 更快的反向恢复
  • 易于并联
  • 驱动简单
  • 无铅镀层；符合RoHS
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