SCT4065DTWHR (新产品)
750V, 24A, 9引脚SMD, 沟槽结构, 车载用碳化硅(SiC) MOSFET
SCT4065DTWHR (新产品)
750V, 24A, 9引脚SMD, 沟槽结构, 车载用碳化硅(SiC) MOSFET
本产品是采用TSC3PAK封装的SiC MOSFET。TSC3PAK采用顶面散热结构，散热面位于封装顶部，在保持表面贴装设计的同时，实现了与传统通孔封装相当的散热性能。此外，ROHM专有的沟槽结构确保了6.66mm的爬电距离，能够在污染度为2的环境中支持1200V的交流峰值电压。这有助于高压应用中更安全的绝缘设计和更高可靠性。此外，该产品还实现了更低导通电阻和高速开关，有助于提高功率转换电路的效率和降低功耗。它非常适用于xEVs中的车载充电器和电动压缩机，以及光伏逆变器和服务器电源。
主要规格
特性：
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
65
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
24
Total Power Dissipation[W]
81
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
14.0x18.58 (t=3.625)
Common Standard
AEC-Q100 (Automotive Grade)
特点：
- 符合AEC-Q101标准
- 宽爬电距离 = 更小6.66mm
- 低导通电阻
- 高速开关
- 更快的反向恢复
- 易于并联
- 驱动简单
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
