SCT4090KEHR (新产品)
1200V, 19A, 3引脚THD, 沟槽结构, 车载用SiC（碳化硅）MOSFET
SCT4090KEHR (新产品)
1200V, 19A, 3引脚THD, 沟槽结构, 车载用SiC（碳化硅）MOSFET
AEC-Q101认证的车载产品。SCT4090KEHR是SiC（碳化硅）沟槽MOSFET。具有耐高压、低导通电阻和开关速度快的特点。
ROHM第四代SiC MOSFET的优势
与传统产品相比，本系列的导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。15V的栅极-源极电压使应用设计更简单。
主要规格
特性：
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
90
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
19
Total Power Dissipation[W]
88
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
特点：
- 符合AEC-Q101标准
- 低导通电阻
- 开关速度快
- 快速反向恢复
- 易于并联
- 简单驱动
- 无铅引线框架电镀;符合RoHS
