SCT4090KTWHR (新产品)
1200V、18A、9引脚SMD、沟槽结构、SiC MOSFET车载用
SCT4090KTWHR (新产品)
1200V、18A、9引脚SMD、沟槽结构、SiC MOSFET车载用
该产品为采用TSC3PAK封装的SiC MOSFET。TSC3PAK封装具有顶部散热结构，其散热表面位于封装顶部，在保持表面贴装设计的同时，实现了与传统通孔封装相当的散热性能。此外，ROHM专有的沟槽结构确保了6.66mm的爬电距离，可在2级污染环境下支持1200V的交流峰值电压。这有助于高压应用中安全的绝缘设计和更高的可靠性。此外，该产品还具有低导通电阻和高速开关特性，有助于提高功率转换电路的效率和降低功耗。它非常适用于xEV中的车载充电器和电动压缩机，以及光伏逆变器和服务器电源。
主要规格
特性：
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
90
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
18
Total Power Dissipation[W]
81
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
14.0x18.58 (t=3.625)
Common Standard
AEC-Q100 (Automotive Grade)
特点：
- 符合AEC-Q101标准
- 爬电距离宽 = 更大6.66mm
- 低导通电阻
- 开关速度快
- 反向恢复速度快
- 易于并联
- 驱动简便
- 无铅引线镀层；符合RoHS标准
