SCS210KN
1200V, 10A, SMD, 碳化硅(SiC) SBD
SCS210KN
SCS210KN
1200V, 10A, SMD, 碳化硅(SiC) SBD
降低了开关损耗，实现了高速开关。(更宽的爬电距离，3引脚封装)
主要规格
特性：
Grade
Standard
Reverse Voltage[V]
1200
Continuous Forward Current[A]
10
Generation
2nd Gen
Total Power Dissipation[W]
136
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
15.1x10.1 (t=4.7)
特点：
- 更低的导通电压
- 可忽略不计的恢复时间/电流
- 不依赖温度的开关特性
- 更宽的爬电距离 = 更小5.10mm
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产品视频一览
宽爬电距离封装 SiC肖特基势垒二极管 - SCS2xxAN (650V), SCS2xxKN (1,200V)
2024-11-12 00:00:00.0
( 1.09 MB )
SCS2xxAN（650V）和SCS2xxKN（1,200V）是采用小型表贴封装、实现了宽爬电距离的SiC肖特基势垒二极管。虽为小型表贴封装，但通过确保足够的爬电距离，可减轻采取特殊绝缘对策（灌封处理）的负担。
SCS2xxAN（650V）和SCS2xxKN（1,200V）是采用小型表贴封装、实现了宽爬电距离的SiC肖特基势垒二极管。虽为小型表贴封装，但通过确保足够的爬电距离，可减轻采取特殊绝缘对策（灌封处理）的负担。