新设计非推荐
SCS230AN
650V, 30A, SMD, 碳化硅 (SiC) SBD
SCS230AN
新设计非推荐
SCS230AN
650V, 30A, SMD, 碳化硅 (SiC) SBD
为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。
主要规格
型号 | SCS230ANTRL
Status |
新设计非推荐
封装 |
TO-263-2L
包装形态 | Taping
包装数量 | 1000
最小独立包装数量 | 1000
RoHS |
Yes
MSL | 1
特性：
Grade
Standard
Reverse Voltage[V]
650
Continuous Forward Current[A]
30
Generation
2nd Gen
Total Power Dissipation[W]
208
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
15.1x10.1 (t=4.7)
特点：
- 更低正向电压
- 可忽略的恢复时间/电流
- 温度独立开关特性
- 宽爬电距离 = 5.10mm
Videos & Catalogs
产品视频一览
宽爬电距离封装 SiC肖特基势垒二极管 - SCS2xxAN (650V), SCS2xxKN (1,200V)
2024-11-12
( 1.09 MB )
SCS2xxAN（650V）和SCS2xxKN（1,200V）是采用小型表贴封装、实现了宽爬电距离的SiC肖特基势垒二极管。虽为小型表贴封装，但通过确保足够的爬电距离，可减轻采取特殊绝缘对策（灌封处理）的负担。
SCS2xxAN（650V）和SCS2xxKN（1,200V）是采用小型表贴封装、实现了宽爬电距离的SiC肖特基势垒二极管。虽为小型表贴封装，但通过确保足够的爬电距离，可减轻采取特殊绝缘对策（灌封处理）的负担。