GNP2050TD-Z (新产品)
EcoGaN™, 650V 31.5A TOLL-8N, E-mode 氮化镓 (GaN) HEMT
GNP2050TD-Z (新产品)
EcoGaN™, 650V 31.5A TOLL-8N, E-mode 氮化镓 (GaN) HEMT
GNP2050TD-Z是一款650V GaN HEMT,实现了行业更佳的FOM(Ron*Ciss、Ron*Coss)。作为EcoGaN™系列产品,它充分利用了低导通电阻和高速开关的特性,有助于提高功率转换效率和缩小尺寸。内置ESD保护功能,实现高可靠性设计。此外,高度通用的封装提供了优良的散热性能,方便安装。 正在寻找激发GaN HEMT性能的栅极驱动器?→ GaN用栅极驱动器
主要规格
特性:
VDS [V]
650
IDS [A]
31.2
VGS Rating [V]
6.5
RDS(on) [mΩ]
50
Qg [nC]
6.4
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Dimensions [mm]
11.68x9.9 (t=2.4)
特点:
- 650V E模式 GaN HEMT
- 50mΩ电阻
- 6.4nC栅极电荷
