GNP2250TB-Z (新产品)
EcoGaN™, 650V 6.8A DFN5060K, E-mode 氮化镓 (GaN) HEMT
GNP2250TB-Z
GNP2250TB-Z (新产品)
EcoGaN™, 650V 6.8A DFN5060K, E-mode 氮化镓 (GaN) HEMT
GNP2250TB-Z 是一款 650V GaN HEMT，实现了行业更佳的 FOM (Ron*Ciss、Ron*Coss)。它是 EcoGaN™ 系列的产品，通过更佳地利用低导通电阻和高速开关特性，有助于提高功率转换效率和缩小尺寸。内置 ESD 保护功能，以实现高可靠性设计。此外，高度通用的封装提供了出色的散热性能，并方便安装。 正在寻找能激发 GaN HEMT 性能的栅极驱动器？→ GaN用栅极驱动器
Data Sheet
* 本产品是标准级的产品。
本产品不建议使用于车载设备。
本产品不建议使用于车载设备。
主要规格
特性：
VDS [V]
650
IDS [A]
6
VGS Rating [V]
6.5
RDS(on) [mΩ]
250
Qg [nC]
1.2
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Dimensions [mm]
5.0x6.0 (t=0.9)
特点：
- 650V E-mode GaN HEMT
- 250mΩ 电阻
- 1.2nC 栅极电荷
