新设计非推荐
RGTH80TK65
高速开关型, 650V 40A, TO-3PFM, 沟槽式场截止型 IGBT
RGTH80TK65
新设计非推荐
RGTH80TK65
高速开关型, 650V 40A, TO-3PFM, 沟槽式场截止型 IGBT
为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。
主要规格
特性：
Series
TH: High speed SW
VCES [V]
650
IC(100°C)[A]
19
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.6
tf(Typ.) [ns]
47
Pd [W]
66
BVCES (Min.)[V]
650
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
特点：
- Low Collector-Emitter Saturation Voltage
- High Speed Switching
- Low Switching Loss & Soft Switching
- Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant
