SH2107WN (新产品)
650V 60A, IGBT模块用 FRD Bare Die
SH2107WN
SH2107WN (新产品)
650V 60A, IGBT模块用 FRD Bare Die
应用: 续流
如需购买裸芯片,请咨询我们的销售办事处以了解具体规格。目前,我们不通过网络分销商销售裸芯片。
主要规格
特性:
Series
FRD: Fast recovery diode
VRM [V]
650
IF(Nominal) [A]
60
VF(Typ.) [V]
1.45
Operating Temperature (Min.)[°C]
-40
Operating Temperature (Max.)[°C]
175
特点:
- 轻击穿型
- 低正向电压
- 更快速&软恢复
- 低恢复损耗
