SH2115WN (新产品)
650V 200A, IGBT模块用FRD Bare Die
SH2115WN
SH2115WN (新产品)
650V 200A, IGBT模块用FRD Bare Die
应用: 续流
如需购买裸芯片,请联系我公司销售部门。目前,我公司未通过互联网经销商销售裸芯片。
主要规格
特性:
Series
FRD: Fast recovery diode
VRM [V]
650
IF(Nominal) [A]
200
VF(Typ.) [V]
1.45
Operating Temperature (Min.)[°C]
-40
Operating Temperature (Max.)[°C]
175
特点:
- 穿通型
- 正向电压低
- 恢复速度快、软恢复
- 恢复损耗低
