SH2122WN (新产品)
650V 150A, IGBT模块用FRD Bare Die
SH2122WN
SH2122WN (新产品)
650V 150A, IGBT模块用FRD Bare Die
应用: 续流
关于裸芯片(Bare Die)的销售,请联系我们的销售办事处了解具体规格。目前,我们不通过网络经销商销售裸芯片(Bare Die)。
主要规格
特性:
Series
FRD: Fast recovery diode
VRM [V]
650
IF(Nominal) [A]
150
VF(Typ.) [V]
1.45
Operating Temperature (Min.)[°C]
-40
Operating Temperature (Max.)[°C]
175
特点:
- 薄穿透型
- 低正向电压
- 更快速更软恢复
- 低恢复损耗
