SG8351WN (新产品)
7µs短路耐受时间, 650V 20A, IGBT裸芯片
SG8351WN
SG8351WN (新产品)
7µs短路耐受时间, 650V 20A, IGBT裸芯片
应用: 车载和工业用通用逆变器,车载加热器,继电器电路 (例如预充电继电器)
如需购买裸芯片,请联系我们的销售办事处获取详细规格。目前,我们暂未通过在线分销商销售裸芯片。
主要规格
特性:
Series
A: For inverter (tsc 7-10µs)
VCES [V]
650
IC(Nominal) [A] / IF(Nominal) [A]
20
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.55
tsc(Min.) [us]
7
Operating Temperature (Min.)[°C]
-40
Operating Temperature (Max.)[°C]
175
特点:
- 沟槽型轻穿通式
- 低集电极-发射极饱和电压
- 短路耐受时间7μs
