SG8353WN (新产品)
7µs短路耐受时间,650V 30A IGBT芯片
SG8353WN
SG8353WN (新产品)
7µs短路耐受时间,650V 30A IGBT芯片
应用: 汽车和工业通用逆变器、汽车加热器、继电器电路 (如预充电继电器)
如需购买裸芯片,请联系ROHM销售部门获取规格。目前,ROHM尚未通过在线经销商销售裸芯片。
主要规格
特性:
Series
A: For inverter (tsc 7-10µs)
VCES [V]
650
IC(Nominal) [A] / IF(Nominal) [A]
30
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.55
tsc(Min.) [us]
7
Operating Temperature (Min.)[°C]
-40
Operating Temperature (Max.)[°C]
175
特点:
- 沟槽型弱穿通式
- 低集电极-发射极饱和电压
- 短路耐受时间7μs
