ROHM Product Detail

SG8353WN (新产品)
7µs短路耐受时间,650V 30A IGBT芯片

应用: 汽车和工业通用逆变器、汽车加热器、继电器电路 (如预充电继电器)
如需购买裸芯片,请联系ROHM销售部门获取规格。目前,ROHM尚未通过在线经销商销售裸芯片。

主要规格

 
型号 | SG8353WNAMU03
Status | 推荐品
封装 |
包装数量 | 0
最小独立包装数量 | 0
RoHS | Yes

特性:

Series

A: For inverter (tsc 7-10µs)

VCES [V]

650

IC(Nominal) [A] / IF(Nominal) [A]

30

VCE(sat) (Typ.) [V]

1.55

tsc(Min.) [us]

7

Operating Temperature (Min.)[°C]

-40

Operating Temperature (Max.)[°C]

175

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特点:

  • 沟槽型弱穿通式
  • 低集电极-发射极饱和电压
  • 短路耐受时间7μs
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