SG8355WN (新产品)
7µs短路容限,650V 50A,IGBT裸芯片
SG8355WN
SG8355WN (新产品)
7µs短路容限,650V 50A,IGBT裸芯片
应用: 汽车和工业用通用逆变器、汽车加热器、继电器电路 (例如预充电继电器)
裸芯片的销售,请联系我公司销售部门,了解具体规格。目前,我们不会在互联网经销商处销售裸芯片。
主要规格
特性:
Series
A: For inverter (tsc 7-10µs)
VCES [V]
650
IC(Nominal) [A] / IF(Nominal) [A]
50
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.55
tsc(Min.) [us]
7
Operating Temperature (Min.)[°C]
-40
Operating Temperature (Max.)[°C]
175
特点:
- 沟槽型轻穿透型
- 更低集电极-发射极饱和电压
- 短路耐受时间7μs
