SG8357WN (新产品)
7µs短路耐受时间, 650V 100A, IGBT裸芯片
SG8357WN
SG8357WN (新产品)
7µs短路耐受时间, 650V 100A, IGBT裸芯片
应用: 车载和工业通用逆变器、车载加热器、继电器电路(例如预充电继电器)
购买裸芯片,请联系我司销售办事处了解具体规格。目前,我司不在网络分销商处销售裸芯片。
主要规格
特性:
Series
A: For inverter (tsc 7-10µs)
VCES [V]
650
IC(Nominal) [A] / IF(Nominal) [A]
100
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.55
tsc(Min.) [us]
7
Operating Temperature (Min.)[°C]
-40
Operating Temperature (Max.)[°C]
175
特点:
- 沟槽薄穿通型
- 低集电极-发射极饱和电压
- 短路耐受时间7μs
