SG8359WN (新产品)
7µs短路耐受,650V 40A,IGBT裸芯片
SG8359WN
SG8359WN (新产品)
7µs短路耐受,650V 40A,IGBT裸芯片
应用:汽车和工业用通用逆变器、汽车加热器、继电器电路(例如预充电继电器)
如需购买裸芯片,请联系我们的销售办事处了解详细规格。目前,我们不通过互联网分销商销售裸芯片。
主要规格
特性:
Series
A: For inverter (tsc 7-10µs)
VCES [V]
650
IC(Nominal) [A] / IF(Nominal) [A]
40
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.55
tsc(Min.) [us]
7
Operating Temperature (Min.)[°C]
-40
Operating Temperature (Max.)[°C]
175
特点:
- 沟槽轻穿透型
- 低集电极-发射极饱和电压
- 短路耐受时间7μs
