SG8406WN
10µs 短路耐受时间, 1200V 50A, IGBT裸芯片
SG8406WN
SG8406WN
10µs 短路耐受时间, 1200V 50A, IGBT裸芯片
应用: 车载和工业用通用逆变器、车载加热器、车载励磁器
如需购买裸芯片, 请联系我司销售办公室。目前, 我司暂不通过在线分销商销售裸芯片。
主要规格
特性：
Series
A: For inverter (tsc 7-10µs)
VCES [V]
1200
IC(Nominal) [A] / IF(Nominal) [A]
50
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.55
tsc(Min.) [us]
10
Operating Temperature (Min.)[°C]
-40
Operating Temperature (Max.)[°C]
175
特点：
- 沟槽式薄穿通型
- 低集电极-发射极饱和电压
- 短路耐受时间 10µs
