SG8410WN
10µs短路耐受时间, 1200V 25A, IGBT裸芯片
SG8410WN
SG8410WN
10µs短路耐受时间, 1200V 25A, IGBT裸芯片
应用：车载和工业用通用逆变器、车载加热器、车载励磁机
购买裸芯片, 请联系我们的销售办公室，了解详细规格。目前，我们不在网上分销商处销售裸芯片。
主要规格
特性：
Series
A: For inverter (tsc 7-10µs)
VCES [V]
1200
IC(Nominal) [A] / IF(Nominal) [A]
25
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.55
tsc(Min.) [us]
10
Operating Temperature (Min.)[°C]
-40
Operating Temperature (Max.)[°C]
175
特点：
- 沟槽式薄穿通型
- 低集电极-发射极饱和电压
- 短路耐受时间 10µs
