SG8412WN
10µs短路耐受,1200V 150A,IGBT裸芯片
SG8412WN
SG8412WN
10µs短路耐受,1200V 150A,IGBT裸芯片
应用: 车载和工业通用逆变器、汽车加热器以及汽车励磁机
如欲购买裸芯片,请咨询ROHM销售办事处了解产品规格。目前ROHM不在网上分销商处销售裸芯片。
主要规格
特性:
Series
A: For inverter (tsc 7-10µs)
VCES [V]
1200
IC(Nominal) [A] / IF(Nominal) [A]
150
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.55
tsc(Min.) [us]
10
Operating Temperature (Min.)[°C]
-40
Operating Temperature (Max.)[°C]
175
特点:
- 沟槽型轻穿通式
- 低集电极-发射极饱和电压
- 短路耐受时间10µs
