EM6M2
1.2V驱动互补MOSFET
EM6M2
1.2V驱动互补MOSFET
复合型MOSFET (P+N) 采用微加工技术制造，具有低导通电阻，可应用于广泛的领域。阵容覆盖了紧凑型、大功率型和复合型等各种类型，以满足市场上各种需求。
主要规格
特性：
Package Code
SOT-563
JEITA Package
SC-107C
Number of terminal
6
Polarity
N+P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
20
Drain Current ID[A]
0.2
RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ)
1.6
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
0.8
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.7
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
1.6
Power Dissipation (PD)[W]
0.15
Drive Voltage[V]
1.2
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
1.6x1.6 (t=0.55)
特点：
· 低电压(1.2V)驱动型· 互补小信号MOSFET
· 小型表面贴装封装
· 无铅/符合RoHS标准
