HT8KC6
60V 15A，双N沟道，HSMT8，功率MOSFET
HT8KC6
60V 15A，双N沟道，HSMT8，功率MOSFET
HT8KC6是低导通电阻MOSFET，是开关应用的理想选择。
主要规格
特性：
Package Code
HSMT8
Number of terminal
8
Polarity
N+N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
60
Drain Current ID[A]
15
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.031
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.023
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.031
Total gate charge Qg[nC]
3.9
Power Dissipation (PD)[W]
14
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
特点：
- 低导通电阻
- 高功率小型模塑封装 (HSMT8)
- 无铅电镀; 符合RoHS
- 无卤素
