HT8MD5H
80V 9.0A/8.5A, 双N沟道+P沟道, HSMT8, 功率MOSFET
HT8MD5H
80V 9.0A/8.5A, 双N沟道+P沟道, HSMT8, 功率MOSFET
HT8MD5H是具备低导通电阻和高功率小型模塑封装的功率MOSFET，适用于开关和电机驱动应用。
主要规格
特性：
Package Code
HSMT8
Number of terminal
8
Polarity
Nch+Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
80
Drain Current ID[A]
9
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)
0.109
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.086
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.109
Total gate charge Qg[nC]
2
Power Dissipation (PD)[W]
13
Drive Voltage[V]
6
trr (Typ.)[ns]
21
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
特点：
- 低导通电阻
- 高功率小型模塑封装(HSMT8)
- 无铅电镀;符合RoHS
- 无卤素
- Rg 和 UIS 测试
