QH8KE6
100V 4A, 双N沟道, TSMT8, 功率MOSFET
QH8KE6
100V 4A, 双N沟道, TSMT8, 功率MOSFET
QH8KE6是一款具有低导通电阻的MOSFET，非常适合开关和电机驱动应用。
主要规格
特性：
Package Code
TSMT8
Number of terminal
8
Polarity
Nch+Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
100
Drain Current ID[A]
4
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.055
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.043
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.055
Total gate charge Qg[nC]
3.3
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.8x3.0 (t=0.85)
特点：
- 低导通电阻
- 小型表面贴装封装(TSMT8)
- 无铅镀层；符合RoHS标准
- 无卤素
