QS8K13
30V 双N沟道小信号MOSFET
主要规格
特性：
Package Code
TSMT8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
N+N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
6
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.028
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.025
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.02
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.028
Total gate charge Qg[nC]
5.5
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.8x3.0 (t=0.85)
特点：
· 4V驱动型· 双N沟道中功率MOSFET
· 更快开关速度
· 小尺寸表面贴装封装
· 无铅/符合RoHS标准
